第三代半导体国产化政策加码 相关概念股强势大涨

　　美国总统宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心”，期望通过加强第三代半导体技术的研发和产业化，使美国占领下一代功率电子产业这个正出现的规模最大、发展最快的新兴市场，并为美国创造出一大批高收入就业岗位。

　　日本也建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟”，由大阪大学牵头，协同罗姆、三菱电机、松下电器等18家从事SiC和GaN材料、器件以及应用技术开发及产业化的知名企业、大学和研究中心，共同开发适应SiC和GaN等下一代功率半导体特点的先进封装技术。

　　欧洲则启动了产学研项目“LASTPOWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。项目通过研发高性价比且高可靠性的SiC和GaN功率电子技术，使欧洲跻身于世界高能效功率芯片研究与商用的最前沿。

　　半导体是中国技术雄心的每个组成部分的基础。因此，对于国产半导体来说，这场高科技战役只能胜利。中国政府也将大力支持行业的发展，在2021至2025年期间，“举全国之力”，在教育、科研、开发、融资、应用等各方面全力发展第三代半导体，以实现产业自主。

　　《2019-2021年中国半导体拉晶炉设备市场专题研究及投资可行性评估报告》数据指出，第三代半导体是以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表的材料。相较前两代产品性能优势显著，凭借其高效率、高密度、高可靠性等优势，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，成为业内关注的新焦点。

　　中国半导体行业协会副理事长魏少军在南京举行的2020年世界半导体大会上表示，中国2020年芯片进口预计将连续第三年保持在3000亿美元以上。

　　目前，我国发展第三代半导体面临的机遇非常好，因为过去十年，在半导体照明的驱动下，氮化镓无论是材料和器件成熟度都已经大大提高，但第三代半导体在电力电子器件、射频器件方面还有很长的路要走，市场和产业刚刚启动，还面临巨大挑战，必须共同努力。

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