2014年我国半导体分立器件发展现状分析

　　中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以及封装等新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域的应用前景等成了广受关注的问题。当前全球分立器件市场总体保持稳步向上，而亚洲地区特别是中国市场表现犹为显眼。

       以下是中国报告大厅整理的我国半导体分立器件发展现状分析：

　　1、我国半导体分立器件分布现状

　　我国半导体分立器件产业地区分布相对集中。按国内半导体分立器件行业销售总额比重分布，其中长三角地区占41.3%，京津环渤海湾地区占10%，珠三角地区占43.2%，其他地区占5.5%。我国生产分立器件的企业主要分布在江苏、浙江、广东、天津等省市，占到全国的76.4%以上。

　　2、半导体分离器件市场规模

　　前瞻产业研究院发布的《2014-2020年中国集成电路行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》显示：2009-2013年，中国半导体分立器件产业销售额逐年上涨，2013年均为最大值，但是增速呈现波动趋势。2010年，2013年，中国半导体分立器件产业销售额为1135.40亿元，同比增长28.50%，增速为近年来的最大值。2013年，中国半导体分立器件产业销售额为1642.50亿元，同比增长18.17%，,增长速度有所加快。

　　3、分立器件的发展趋势

　　事实证明，半导体分立器件仍有很大的发展空间。半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展，发展新的器件理论、新的结构，出现各种新型分立器件，促进电子信息技术的迅猛发展。

　　一是发展电子信息产品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等。随着理论研究和工艺水平的不断提高，电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展，先后出现了从高压大电流的GTO到高频多功能的IGBT、功率MOSFET等自关断、全控型器件。近年来，电力电子器件正朝着大功率、高压、高频化、集成化、智能化、复合化、模块化及功率集成的方向发展，如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。

　　二是发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件。

　　三是跟踪世界半导体分立器件发展趋势，加强对纳米器件、超导器件等领域的研究。

　　四是分立器件封装技术的发展趋势仍以片式器件为发展方向，以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。封装形式的发展，一是往小型化方向发展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封装型式发展；二是片式小型化往功率器件方向延伸，从1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封装，如TO-247、TO-3P等；三是另一类则望更大尺寸、更大体积以满足各类更大功率的新型电力电子封装，如全压接式大功率IGBT及各类模块封装等。

　　相关半导体分立器行业发展现状详细信息查阅中国报告大厅发布的2012-2017年中国半导体分立器件行业发展现状及投资前景分析报告。

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