| 企业名称 | 吉林华微电子股份有限公司 | 统一社会代码 | 91220201717149339H |
|---|---|---|---|
| 法人代表 | 夏董 | 成立日期 | 1999-10-21 |
| 公司类型 | 其他股份有限公司（上市） | 所在地区 | 吉林 |
| 联系方式 | 0432-64678411,400-701-2525 | 企业官方 | http://www.hwdz.com.cn/ |
| 企业地址 | 吉林省 高新区深圳街99号 | ||
| 经营范围 | 半导体分立器件、集成电路、电力电子产品、汽车电子产品、自动化仪表、电子元件、应用软件的设计、开发、制造与销售。经营本企业自产产品及相关技术的出口业务（国家限定公司经营或禁止出口的商品除外）；经营本企业生产、科研所需的原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止进口的商品除外）；经营本企业的进料加工和“三来一补”业务；有储存（氢气、氧气、氮气）、无储存（砷烷、硼烷、磷烷、氯气、硫酸、盐酸、丙桐）零售、批发。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） | ||
| 商标名称 | 商标注册号 | 类号 | 申请人 |
|---|---|---|---|
| 图形 | 13527940 | 第9类 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 图形 | 1654463 | 第9类 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| JSMC | 5706587 | 第9类 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 图形 | 673644 | 第9类 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 序号 | 专利号/专利申请号 | 专利名称 |
|---|---|---|
| 1 | CN201420656956.2 | 低输入电容功率半导体场效应晶体管 |
| 2 | CN201620786862.6 | 一种MOSFET器件 |
| 3 | CN200710037559.1 | 采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺 |
| 4 | CN200820072477.0 | 以塑封料部分取代引线框架材料的器件 |
| 5 | CN201420120155.4 | 具有沟槽侧面的引线框架 |
吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家高新技术企业。公司总资产68亿元，员工2300余人，技术人员占公司总人数的30%以上，占地面积40万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米，主要净化级别为0.3微米百级。公司于2001年3月在上海证券交易所上市，股票代码600360，为国内功率半导体器件领域上市公司（主板A股）。
京公网安备 11010502031895号
